Memory circuit using oxide semiconductor

WO2020254914 Art A1 24. Dezember 2020

Anmelder: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020254914
Aktenzeichen: EP20826252
Anmeldetag: 9. Juni 2020
Veröffentlichung: 24. Dezember 2020
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/405H01L21/8242H01L27/108H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

4.187 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von