Method for selectively manufacturing material layer and target pattern

WO2020256515 Art A1 24. Dezember 2020

Anmelder: INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020256515
Aktenzeichen: EP20826389
Anmeldetag: 22. Juni 2020
Veröffentlichung: 24. Dezember 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/311C23C16/34C23C16/40C23C16/455

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Industry-University Cooperation Foundation Hanyang

Die Industry-University Cooperation Foundation Hanyang ist die Forschungstransferstelle der Hanyang University in Südkorea. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Medizintechnik, ergänzt um Mess- und Prüftechnik und Software. Anmeldungen laufen von 2011 bis in die Gegenwart.

345 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von