Systems and methods for compensating for rf power loss

WO2020256899 Art A1 24. Dezember 2020

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2020256899
Aktenzeichen
EP20825819
Anmeldetag
27. Mai 2020
Veröffentlichung
24. Dezember 2020
Rechtsraum
WO
IPC
H01J37/32H01L21/3065
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
LAM RESEARCH CORPORATION
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen