In-situ and selective area etching of surfaces or layers, and high-speed growth of gallium nitride, by organometallic chlorine precursors
WO2020257192
Art A1
24. Dezember 2020
Anmelder: YALE UNIVERSITY 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020257192
- Aktenzeichen
- EP20825490
- Anmeldetag
- 16. Juni 2020
- Veröffentlichung
- 24. Dezember 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B25/10C30B25/16C30B25/18
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- YALE UNIVERSITY
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Yale University
US-amerikanische private Forschungsuniversität in New Haven, Connecticut, gegründet 1701.
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