Multi-layered semiconductive device and methodology with polymer and transition metal dichalcogenide material

WO2020257703 Art A1 24. Dezember 2020

Anmelder: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE LELAND STANFORD JUNIO 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020257703
Aktenzeichen: EP20827889
Anmeldetag: 19. Juni 2020
Veröffentlichung: 24. Dezember 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/792H01L21/3213H01L27/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE LELAND STANFORD JUNIO
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 The Board of Trustees of the Leland Stanford Junior University

Rechtsträger der US-amerikanischen Stanford University in Kalifornien, der als Anmelder der zahlreichen Patente aus der Universitätsforschung fungiert. Schwerpunkte liegen unter anderem in Biotechnologie, Informatik und Materialwissenschaften.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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