Method of fabricating an integrated structure for an optoelectronic device and integrated structure for an optoelectronic device

WO2020263181 Art A1 30. Dezember 2020

Anmelder: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020263181
Aktenzeichen: EP20832699
Anmeldetag: 24. Juni 2020
Veröffentlichung: 30. Dezember 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L25/16H01L27/15H01L33/62G09F9/33H01L27/146

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.

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Fachgebiete

Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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