Alternating etch and passivation process

WO2020263757 Art A1 30. Dezember 2020

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020263757
Aktenzeichen: EP20830818
Anmeldetag: 22. Juni 2020
Veröffentlichung: 30. Dezember 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/033H01L21/311H01L21/3213H01L21/308H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von