Carbon-doped silicon single crystal wafer and manufacturing method thereof

WO2021002363 Art A1 7. Januar 2021

Anmelder: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021002363
Aktenzeichen: EP20834392
Anmeldetag: 30. Juni 2020
Veröffentlichung: 7. Januar 2021
Rechtsraum: WO
IPC: C30B33/02H01L21/26C30B29/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.180 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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