High Bandwidth Destructive Read Embedded Memory

WO2021002985 Art A1 7. Januar 2021

Anmelder: INTEL CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021002985
Aktenzeichen: EP20834226
Anmeldetag: 29. Mai 2020
Veröffentlichung: 7. Januar 2021
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/4091G11C11/4094G11C11/4096G11C7/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INTEL CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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