Method for etching features using a targeted deposition for selective passivation

WO2021003224 Art A1 7. Januar 2021

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021003224
Aktenzeichen: EP20834435
Anmeldetag: 1. Juli 2020
Veröffentlichung: 7. Januar 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065H01L21/311H01L21/67H01J37/32H01L21/308C23C16/455C23C16/505

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von