Structure and method for forming capacitors for three-dimensional nand

WO2021003635 Art A1 14. Januar 2021

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021003635
Aktenzeichen: EP19936948
Anmeldetag: 8. Juli 2019
Veröffentlichung: 14. Januar 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/522H01L27/1157H01L27/11573H01L49/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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