Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

WO2021005903 Art A1 14. Januar 2021

Anmelder: FUJI ELECTRIC CO., LTD., MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021005903
Aktenzeichen: EP20836963
Anmeldetag: 26. Mai 2020
Veröffentlichung: 14. Januar 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/329H01L21/336H01L29/06H01L29/12H01L29/739H01L29/74H01L29/861H01L29/868

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: FUJI ELECTRIC CO., LTD.
MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

2.075 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Mitsubishi Electric

Japanisches Unternehmen, das Elektro- und Elektroniktechnik entwickelt und herstellt, darunter Automatisierung, Energie-, Klima- und Fahrzeugtechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von