Terminal protection structure for trench-type semiconductor power device, and power device
WO2021007973
Art A1
21. Januar 2021
Anmelder: Southeast University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021007973
- Aktenzeichen
- EP19938032
- Anmeldetag
- 21. Oktober 2019
- Veröffentlichung
- 21. Januar 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Southeast University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Southeast University
Chinesische Universität mit Sitz in Nanjing, Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.
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