Embedded sonos and high voltage select gate with a high-k metal gate and manufacturing methods of the same

WO2021016375 Art A1 28. Januar 2021

Anmelder: INFINEON TECHNOLOGIES LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021016375
Aktenzeichen: EP20844282
Anmeldetag: 22. Juli 2020
Veröffentlichung: 28. Januar 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11573H01L21/02H01L21/28H01L27/11568H01L27/1157H01L29/423

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INFINEON TECHNOLOGIES LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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