Substrate etching method for titanium-based dimension stabilization type anode
WO2021017104
Art A1
4. Februar 2021
Anmelder: NORTHEASTERN UNIVERSITY 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021017104
- Aktenzeichen
- EP19940048
- Anmeldetag
- 10. September 2019
- Veröffentlichung
- 4. Februar 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C23F1/26C25C7/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NORTHEASTERN UNIVERSITY
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Northeastern University
Die Northeastern University (chinesisch Dongbei Daxue) ist eine staatliche Universität in Shenyang, China, mit Schwerpunkten in Ingenieurwissenschaften, Werkstofftechnik und Informationstechnologie.
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