Optimized retrograde channel implant for planar sic mosfet

WO2021019086 Art A1 4. Februar 2021

Anmelder: HITACHI ENERGY SWITZERLAND AG 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021019086
Aktenzeichen: EP20746990
Anmeldetag: 31. Juli 2020
Veröffentlichung: 4. Februar 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/10H01L29/739

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: HITACHI ENERGY SWITZERLAND AG
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 Hitachi Energy Switzerland

Schweizer Gesellschaft des Hitachi-Konzerns, die Technik für Stromübertragung und -verteilung, Netzstabilität und Energieinfrastruktur entwickelt und liefert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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