Composition, silicon-containing film, method for forming silicon-containing film and method for processing semiconductor substrate
WO2021020091
Art A1
4. Februar 2021
Anmelder: JSR CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021020091
- Aktenzeichen
- EP20848204
- Anmeldetag
- 13. Juli 2020
- Veröffentlichung
- 4. Februar 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C08G77/26C08G77/50C09D9/00C08L83/08C09D183/05C09D183/08G03F7/11G03F7/26G03F7/42H01L21/027H01L21/3065H01L21/312H01L21/316H01L21/318
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- JSR CORPORATION
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
JSR Corporation
JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.
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