Semiconductor substrate, semiconductor device, and methods for producing same

WO2021020574 Art A1 4. Februar 2021

Anmelder: ROHM CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021020574
Aktenzeichen: EP20848641
Anmeldetag: 31. Juli 2020
Veröffentlichung: 4. Februar 2021
Rechtsraum: WO
IPC: C30B33/06C30B25/20C04B35/565C04B35/569H01L21/02H01L21/20H01L21/205H01L29/06H01L29/161H01L29/47H01L29/872H01L29/78H01L29/12H01L29/739H01L21/336H01L21/329C30B29/36C23C16/30C23C16/42

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: ROHM CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

2.771 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von