Synthetic antiferromagnetic material and multibit memory using same

WO2021020736 Art A1 4. Februar 2021

Anmelder: INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021020736
Aktenzeichen: EP20846041
Anmeldetag: 23. Juni 2020
Veröffentlichung: 4. Februar 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L43/08H01L43/02H01L43/10G11C11/56

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Industry-University Cooperation Foundation Hanyang

Die Industry-University Cooperation Foundation Hanyang ist die Forschungstransferstelle der Hanyang University in Südkorea. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Medizintechnik, ergänzt um Mess- und Prüftechnik und Software. Anmeldungen laufen von 2011 bis in die Gegenwart.

345 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von