Chemical etch nonvolatile materials for mram patterning
WO2021021486
Art A1
4. Februar 2021
Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021021486
- Aktenzeichen
- EP20846353
- Anmeldetag
- 20. Juli 2020
- Veröffentlichung
- 4. Februar 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L43/12H01L43/10H01L43/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM RESEARCH CORPORATION
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
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