Resistive random access memory operation circuit and operation method
WO2021022410
Art A1
11. Februar 2021
Anmelder: PEKING UNIVERSITY 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021022410
- Aktenzeichen
- EP19940300
- Anmeldetag
- 2. August 2019
- Veröffentlichung
- 11. Februar 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C13/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- PEKING UNIVERSITY
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Peking University
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