Verfahren zur Herstellung eines Strahlungsemittierenden Halbleiterchips und Strahlungsemittierender Halbleiterchip

WO2021023473 Art A1 11. Februar 2021

Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021023473
Aktenzeichen: EP20739652
Anmeldetag: 10. Juli 2020
Veröffentlichung: 11. Februar 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/08H01L33/20H01L33/38H01L33/44H01L33/46H01L33/30H01L33/40

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 OSRAM Opto Semiconductors

Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.

2.892 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von