Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method thereof

WO2021024972 Art A1 11. Februar 2021

Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021024972
Aktenzeichen: EP20850272
Anmeldetag: 3. August 2020
Veröffentlichung: 11. Februar 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L21/316H01L29/423H01L29/49H01L29/78H01L29/12H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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