Gan-based mis-hemt device having -shaped gate and preparation method

WO2021027242 Art A1 18. Februar 2021

Anmelder: ZHONGSHAN INSTITUTE OF MODERN INDUSTRIAL, SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021027242
Aktenzeichen: EP19941692
Anmeldetag: 31. Dezember 2019
Veröffentlichung: 18. Februar 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/45H01L29/49H01L21/335H01L29/778

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: ZHONGSHAN INSTITUTE OF MODERN INDUSTRIAL
SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 South China University of Technology

Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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