Gan-based hemt gold-free ohmic contact electrode and thermal nitridation forming method therefor

WO2021027903 Art A1 18. Februar 2021

Anmelder: ZHONGSHAN INSTITUTE OF MODERN INDUSTRIAL, SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021027903
Aktenzeichen: EP20852829
Anmeldetag: 13. August 2020
Veröffentlichung: 18. Februar 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/45

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: ZHONGSHAN INSTITUTE OF MODERN INDUSTRIAL
SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 South China University of Technology

Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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