Ferroelectric memory devices including a stack of ferroelectric and antiferroelectric layers and method of making the same

WO2021029915 Art A1 18. Februar 2021

Anmelder: SANDISK TECHNOLOGIES LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021029915
Aktenzeichen: EP20853091
Anmeldetag: 18. März 2020
Veröffentlichung: 18. Februar 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11597H01L27/11587H01L27/1159H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SANDISK TECHNOLOGIES LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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