Three-dimensional memory device containing alternating stack of source layers and drain layers and vertical gate electrodes

WO2021029916 Art A1 18. Februar 2021

Anmelder: SanDisk Technologies LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021029916
Aktenzeichen: EP20853224
Anmeldetag: 19. März 2020
Veröffentlichung: 18. Februar 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11582H01L27/1157H01L27/1159H01L27/11597H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SanDisk Technologies LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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