Tungsten Deposition

WO2021030836 Art A1 18. Februar 2021

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021030836
Aktenzeichen: EP20852906
Anmeldetag: 10. August 2020
Veröffentlichung: 18. Februar 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768H01L27/11556H01L27/11582H01L21/285C23C16/455C23C16/02C23C16/04C23C16/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von