Spatially Tunable Deposition To Compensate Within Wafer Differential Bow
WO2021034508
Art A1
25. Februar 2021
Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021034508
- Aktenzeichen
- EP20854388
- Anmeldetag
- 6. August 2020
- Veröffentlichung
- 25. Februar 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C23C16/458C23C16/455C23C16/505C23C16/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM RESEARCH CORPORATION
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
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