Multi-brain area recording electrode, manufacturing method and implantation method
WO2021035527
Art A1
4. März 2021
Anmelder: SHENZHEN INSTITUTES OF ADVANCED TECHNOLOGY CHINESE 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021035527
- Aktenzeichen
- EP19943797
- Anmeldetag
- 27. August 2019
- Veröffentlichung
- 4. März 2021
- Rechtsraum
- WO
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SHENZHEN INSTITUTES OF ADVANCED TECHNOLOGY CHINESE
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Shenzhen Institutes of Advanced Technology
Chinesisches Forschungsinstitut in Shenzhen unter der Chinesischen Akademie der Wissenschaften mit Schwerpunkten in Robotik, Biomedizintechnik und neuen Materialien.
2.775 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.