Three-dimensional memory device with source contacts connected by adhesion layer and forming methods thereof

WO2021035739 Art A1 4. März 2021

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021035739
Aktenzeichen: EP19942904
Anmeldetag: 30. August 2019
Veröffentlichung: 4. März 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/1157H01L27/11573H01L27/11582

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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