Monocrystalline silicon wafer containing germanium and nitrogen impurities, preparation method for monocrystalline silicon wafer, and integrated circuit comprising silicon wafer

WO2021037275 Art A1 4. März 2021

Anmelder: ZHEJIANG UNIVERSITY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021037275
Aktenzeichen: EP20859115
Anmeldetag: 31. August 2020
Veröffentlichung: 4. März 2021
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/06C30B15/00C30B15/04H01L29/167

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: ZHEJIANG UNIVERSITY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Zhejiang University

Chinesische Universität mit Sitz in Hangzhou, eine der führenden Forschungshochschulen Chinas mit breitem Fächerspektrum einschließlich Ingenieurwissenschaften und Materialforschung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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