Silicon carbide semiconductor device, electric power conversion device, and method for producing silicon carbide semiconductor device
WO2021038787
Art A1
4. März 2021
Anmelder: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021038787
- Aktenzeichen
- EP19942897
- Anmeldetag
- 29. August 2019
- Veröffentlichung
- 4. März 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/78H01L21/336H01L29/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Electric
Japanisches Unternehmen, das Elektro- und Elektroniktechnik entwickelt und herstellt, darunter Automatisierung, Energie-, Klima- und Fahrzeugtechnik.
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