Conductive-bridge memory device, method for manufacturing same, and switch device

WO2021039988 Art A1 4. März 2021

Anmelder: NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOTTORI UNIVERSITY, NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE, NAGASE&CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021039988
Aktenzeichen: EP20859388
Anmeldetag: 28. August 2020
Veröffentlichung: 4. März 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L45/00H01L49/00H01L21/8239H01L27/105

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOTTORI UNIVERSITY
NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE
NAGASE&CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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