Thin film transistor having metal oxide channel layer containing bixbyite crystal, and vertical non-volatile memory device

WO2021040183 Art A1 4. März 2021

Anmelder: INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021040183
Aktenzeichen: EP20859270
Anmeldetag: 22. April 2020
Veröffentlichung: 4. März 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L29/66H01L21/324H01L29/792H01L27/11582H01L27/1157

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Industry-University Cooperation Foundation Hanyang

Die Industry-University Cooperation Foundation Hanyang ist die Forschungstransferstelle der Hanyang University in Südkorea. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Medizintechnik, ergänzt um Mess- und Prüftechnik und Software. Anmeldungen laufen von 2011 bis in die Gegenwart.

345 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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