Epitaxial-silicon wafer with a buried oxide layer

WO2021040677 Art A1 4. März 2021

Anmelder: HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021040677
Aktenzeichen: EP19943689
Anmeldetag: 23. August 2019
Veröffentlichung: 4. März 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/36H01L23/522B41J2/07

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Hewlett-Packard

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Palo Alto, Kalifornien. Aktiv in Computerhardware, Druckern, Speicherlösungen sowie Unternehmens-IT und Cloud-Infrastruktur.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

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