Memory device latch circuitry

WO2021040883 Art A1 4. März 2021

Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021040883
Aktenzeichen: EP20858099
Anmeldetag: 30. Juni 2020
Veröffentlichung: 4. März 2021
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/419G11C11/412G11C7/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MICRON TECHNOLOGY, INC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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