Near netshape additive manufacturing using low temperature plasma jets

WO2021041115 Art A1 4. März 2021

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION, SILFEX, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021041115
Aktenzeichen: EP20856709
Anmeldetag: 19. August 2020
Veröffentlichung: 4. März 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H05H1/34H05H1/42H05H1/28H01L21/67

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: LAM RESEARCH CORPORATION
SILFEX, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von