Rapid preparation method for few-layer mxenes and application

WO2021042456 Art A1 11. März 2021

Anmelder: ZHEJIANG UNIVERSITY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021042456
Aktenzeichen: EP19944536
Anmeldetag: 22. Oktober 2019
Veröffentlichung: 11. März 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01M4/587H01M4/62H01M10/04H01M10/0525B82Y30/00B82Y40/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: ZHEJIANG UNIVERSITY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Zhejiang University

Chinesische Universität mit Sitz in Hangzhou, eine der führenden Forschungshochschulen Chinas mit breitem Fächerspektrum einschließlich Ingenieurwissenschaften und Materialforschung.

1.943 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von