In-Situ Etching Process

WO2021044443 Art A1 11. März 2021

Anmelder: INDIAN INSTITUTE OF SCIENCE 🇮🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021044443
Aktenzeichen: EP20861141
Anmeldetag: 4. September 2020
Veröffentlichung: 11. März 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20H01L21/205H01L33/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INDIAN INSTITUTE OF SCIENCE
Land: 🇮🇳 Indien

🇮🇳 Indian Institute of Science

Das Indian Institute of Science ist eine indische Forschungsuniversität mit Sitz in Bengaluru. Das Patentportfolio verteilt sich breit über Medizintechnik, Mess- und Prüftechnik sowie Halbleiter- und Softwaretechnik. Die Anmeldungen decken den Zeitraum von 2000 bis 2025 ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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