Near infrared light-emitting semiconductor element and method for producing same
WO2021044824
Art A1
11. März 2021
Anmelder: OSAKA UNIVERSITY 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021044824
- Aktenzeichen
- EP20860015
- Anmeldetag
- 13. August 2020
- Veröffentlichung
- 11. März 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B25/16H01L33/32H01L21/20H01L21/205C30B29/38C23C16/34
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- OSAKA UNIVERSITY
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Osaka University
Staatliche Universität in Osaka, Japan, eine der führenden Forschungsuniversitäten des Landes mit Schwerpunkten in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.
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