Crystal film, semiconductor device including crystal film, and method for manufacturing crystal film

WO2021044845 Art A1 11. März 2021

Anmelder: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE, FLOSFIA INC. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021044845
Aktenzeichen: EP20861717
Anmeldetag: 19. August 2020
Veröffentlichung: 11. März 2021
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/16C23C16/04C23C16/40C30B25/04H01L21/365H01L21/368

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE
FLOSFIA INC.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute for Materials Science

Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.

995 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen