Bonded semiconductor devices having processor and static random-access memory and methods for forming the same

WO2021046744 Art A1 18. März 2021

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021046744
Aktenzeichen: EP19945368
Anmeldetag: 11. September 2019
Veröffentlichung: 18. März 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11H01L23/485H01L21/60

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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