Method for producing group 13 element nitride crystal layer, and seed crystal substrate

WO2021049170 Art A1 18. März 2021

Anmelder: NGK INSULATORS, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021049170
Aktenzeichen: EP20862032
Anmeldetag: 17. Juli 2020
Veröffentlichung: 18. März 2021
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38C30B19/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NGK INSULATORS, LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NGK Insulators

Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von