Three-dimensional memory device containing ferroelectric memory elements encapsulated by transition metal-containing conductive elements and method of making thereof
WO2021050114
Art A1
18. März 2021
Anmelder: SANDISK TECHNOLOGIES LLC 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021050114
- Aktenzeichen
- EP20863665
- Anmeldetag
- 31. März 2020
- Veröffentlichung
- 18. März 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/11597H01L27/1159H01L21/28H01L29/51H01L29/78G11C11/22
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SANDISK TECHNOLOGIES LLC
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
SanDisk
US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.
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