Three-dimensional memory device having multi-deck structure and methods for forming the same

WO2021051383 Art A1 25. März 2021

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021051383
Aktenzeichen: EP19946008
Anmeldetag: 20. September 2019
Veröffentlichung: 25. März 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11578H01L27/11582

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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