Doped metal oxide semiconductor, thin film transistor, and application

WO2021052218 Art A1 25. März 2021

Anmelder: SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021052218
Aktenzeichen: EP20866522
Anmeldetag: 8. September 2020
Veröffentlichung: 25. März 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/24H01L21/336H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 South China University of Technology

Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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