A resistive memory device structure based on stacked layers of nanocrystalline tmdcs

WO2021054898 Art A1 25. März 2021

Anmelder: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH 🇸🇬

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021054898
Aktenzeichen: EP20866059
Anmeldetag: 18. September 2020
Veröffentlichung: 25. März 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L45/00G11C11/56C30B29/46C01B19/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH
Land: 🇸🇬 Singapur

🇸🇬 Agency for Science, Technology and Research

Staatliche Forschungsorganisation Singapurs (bekannt als A*STAR), zuständig für angewandte Forschung in Biomedizin, Physik und Ingenieurwissenschaften. Fördert Technologietransfer zwischen Wissenschaft und Industrie.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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