Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

WO2021056325 Art A1 1. April 2021

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2021056325
Aktenzeichen: EP19946451
Anmeldetag: 26. September 2019
Veröffentlichung: 1. April 2021
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11524H01L27/11551H01L27/1157H01L27/11578

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen