Semiconductor device and method of fabrication thereof
WO2021068220
Art A1
15. April 2021
Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2021068220
- Aktenzeichen
- EP19948368
- Anmeldetag
- 12. Oktober 2019
- Veröffentlichung
- 15. April 2021
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/1157
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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